Intel Foundry và ASML cho biết vào ngày 8 tháng 9 rằng họ tiếp tục đẩy nhanh việc đưa vào sản xuất hàng loạt công nghệ khắc quang tia cực tím cực hạn (EUV) độ phân giải cao (High-NA). Intel cho biết hãng đã xử lý hơn 1 triệu wafer thông qua giai đoạn chạy thử và đánh giá thiết bị ban đầu, R&D và một số bước trong sản xuất hàng loạt, đồng thời khẳng định High-NA EUV đã được sử dụng trong sản xuất hàng loạt cho một số lớp của bộ xử lý Core Ultra 3 “Panther Lake”, theo Jiemian News. Intel cũng cho biết các sản phẩm được tạo ra với High-NA EUV trên quy trình 18A có hiệu năng tương đương hoặc vượt trội so với các lớp tương ứng được tạo ra trên nền tảng EUV truyền thống khẩu độ số (numerical-aperture) 0,33. Hai công ty cho biết họ sẽ tiếp tục nỗ lực để chuyển các tấm mask từ định dạng hiện tại 6 inch sang các tấm mask lớn hơn 6×12 inch, đồng thời sử dụng công nghệ ghép mask (mask stitching) để cho phép khách hàng khai thác một số lợi ích của High-NA EUV ngay cả với các tấm mask 6 inch hiện có.