1c DRAM 的 đường cong chuyển đổi công suất, mới là chìa khóa quyết định thật sự của cuộc chiến HBM4E. Tỷ lệ 1c của SK hynix tăng từ 10% ở Q1 lên dự báo 34% ở Q4; năm tới, dự kiến sẽ đạt 35% vào Q1, chính thức vượt 1b để trở thành tiến trình chủ lực. Tốc độ này cho thấy SK hynix đang dùng chỉ nửa năm để hoàn tất trước thời hạn những khâu sản xuất đại trà khó nhất trên HBM4E. Samsung HBM4 cũng lên thẳng 1c, dùng các thông số hiệu năng để giành đơn hàng; SK hynix thì dùng 1b để giữ HBM4 vận hành ổn định, ép tỷ phần xuống khoảng giữa mốc 50%, rồi quay đầu dồn lực để chạy thông tỷ lệ lỗi (yield) của 1c. Khi HBM4E cần 1c làm die lõi, họ đã vượt qua giai đoạn “leo dốc” đau đớn nhất. Mỗi tấm wafer 1c cho ra bit nhiều hơn, lợi thế chi phí được bào mỏng trực tiếp; lợi nhuận DRAM nửa cuối năm có điểm tựa. Bước tiếp theo cần xem báo cáo tài chính Q3: nếu tỷ lệ 1c dưới 24% thì cho thấy quá trình tăng yield gặp trở ngại, thời điểm sản xuất đại trà HBM4E còn nghi ngờ; nếu vượt lên 30% trở lên, lộ trình của Samsung sẽ buộc phải điều chỉnh. Ai là người chạy qua địa ngục yield của tiến trình nền trước, mới là kẻ chiến thắng cuối cùng trong cuộc chiến HBM.