Đường cong chuyển đổi công suất của DRAM 1c mới chính là “mảnh ghép” quyết định thắng bại thực sự trong cuộc chiến HBM4E. Tỷ trọng 1c của SK hynix tăng từ 10% ở Q1 lên 34% theo dự báo ở Q4; sang năm, dự kiến đạt 35% ở Q1, chính thức vượt 1b để trở thành công nghệ quy trình chủ lực. Tốc độ này cho thấy SK hynix đang dùng nửa năm để hoàn tất sớm nhất khâu “đi vào guồng” sản xuất hàng loạt khó khăn nhất trên HBM4E. Samsung thì đưa HBM4 trực tiếp lên 1c, dùng thông số hiệu năng để giành đơn; còn SK hynix dùng 1b để giữ độ ổn định cho HBM4, ép tỷ phần xuống đoạn giữa mức 50%, rồi quay sang dồn lực tập trung để chạy thông tỷ lệ đạt tiêu chuẩn của 1c. Khi HBM4E cần dùng 1c cho die lõi, họ đã vượt qua xong giai đoạn “leo dốc” đau đớn nhất. Mỗi tấm wafer của 1c cho ra bit nhiều hơn, lợi thế chi phí vì thế được “dàn mỏng” trực tiếp; lợi nhuận biên của DRAM nửa cuối năm có hỗ trợ. Bước tiếp theo là theo dõi báo cáo tài chính Q3: nếu tỷ trọng 1c dưới 24%, điều đó cho thấy việc tăng tỷ lệ đạt chuẩn đang vướng trở ngại, nên thời điểm sản xuất hàng loạt HBM4E cũng đáng ngờ; nếu vọt lên trên 30%, lộ trình của Samsung sẽ buộc phải điều chỉnh. Quy trình nền tảng đã chạy qua “địa ngục” tỷ lệ đạt chuẩn trước, thì mới là bên chiến thắng cuối cùng trong cuộc chiến HBM.