Micron dự định tăng gấp đôi dung lượng bộ nhớ băng thông cao (HBM) so với năm ngoái, đồng thời đẩy mạnh đầu tư trang thiết bị trước cuối năm để củng cố nguồn cung cho các sản phẩm HBM4 thế hệ tiếp theo với 12 lớp. Theo Sina Finance, công ty đặt mục tiêu bổ sung tới 60.000 tấm wafer mỗi tháng vào năng lực HBM trước cuối năm nay, với sản lượng dự kiến đạt khoảng 100.000 tấm wafer mỗi tháng vào thời điểm cuối năm.

Theo Sina Finance, một người am hiểu vấn đề cho biết Micron đang triển khai đầu tư trang thiết bị quy mô lớn để mở rộng nhanh chóng năng lực HBM4. Micron cũng đang tăng các đơn đặt hàng với nhiều nhà cung cấp thiết bị sản xuất HBM, và thiết bị vẫn tiếp tục được chuyển đến cơ sở sản xuất HBM của công ty.

Tỷ trọng đầu ra HBM4 12 lớp dự kiến sẽ tăng mạnh. Hiện tại, phần lớn sản lượng HBM của Micron là các sản phẩm HBM3E 12 lớp. Đầu năm nay, các sản phẩm HBM4 12 lớp chiếm 20% đến 30% tổng sản lượng, và theo báo cáo, tỷ trọng đó được kỳ vọng sẽ tăng lên tối đa 50% vào cuối năm.

Các sản phẩm HBM4 12 lớp sẽ được sử dụng trong chip AI Vera Rubin của Nvidia, và Micron đã bắt đầu sản xuất hàng loạt các sản phẩm này vào quý 2 của năm nay.