Theo Wallstreetcn, Samsung Electronics đang hợp tác với Nvidia để phát triển bộ nhớ độ trễ cao băng thông cao thế hệ thứ bảy 8 lớp (HBM4E), giảm so với các phương án ban đầu được lên kế hoạch là 12 lớp và 16 lớp, và thông số tốc độ mà Nvidia đề xuất là 17-18Gbps, cao hơn khoảng 20% so với tốc độ mẫu HBM4E ban đầu của Samsung là 14,4Gbps.
Bài viết
XU HƯỚNG AI | Samsung Electronics phát triển HBM4E 8 lớp theo yêu cầu của Nvidia
--・
Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Nội dung bao gồm cả quan điểm của bên thứ ba, không phải lời khuyên. Có thể sử dụng nội dung do Binance Ai đưa ra nhưng không được đảm bảo. Xem Điều khoản & Điều kiện.