20 сентября компания ChangXin Storage объявила о начале массового производства пятого поколения $DRAM платформы: ключевое расстояние между структурами снижено до 11,95 нм; за основу взят чип 8 Гбит — количество кристаллов на одной пластине как минимум увеличено на 50%; начато массовое производство двух моделей 24 Гбит LPDDR5X, их ёмкость на 50% выше по сравнению с продуктами предыдущего поколения того же класса
В сообщении о запуске в массовое производство раскрыты LPDDR5X — главным образом для смартфонов и портативных устройств; информации о массовом производстве HBM не появилось.
MU в ближайшее время ещё придётся выдерживать ценовую, долевую и стоимостную конкуренцию на рынке мобильной DRAM. Для логики памяти в AI-серверах по-прежнему важно, будут ли клиенты HBM сертифицировать продукт, а также поставки и баланс спроса и предложения.
Есть ещё одна деталь: «количество кристаллов +50%» относится к этапу до удаления бракованных изделий; это нельзя напрямую читать как «производительность для продажи +50%».
#美光 #长鑫存储 #存储芯片
В сообщении о запуске в массовое производство раскрыты LPDDR5X — главным образом для смартфонов и портативных устройств; информации о массовом производстве HBM не появилось.
MU в ближайшее время ещё придётся выдерживать ценовую, долевую и стоимостную конкуренцию на рынке мобильной DRAM. Для логики памяти в AI-серверах по-прежнему важно, будут ли клиенты HBM сертифицировать продукт, а также поставки и баланс спроса и предложения.
Есть ещё одна деталь: «количество кристаллов +50%» относится к этапу до удаления бракованных изделий; это нельзя напрямую читать как «производительность для продажи +50%».
#美光 #长鑫存储 #存储芯片
