Кривая переключения мощностей 1c DRAM — вот настоящий ключ к победе в войне HBM4E. Доля SK hynix в 1c выросла с 10% в Q1 до прогнозных 34% в Q4; в следующем году в Q1 ожидается 35%, и это официально сделает 1c основной технологической нормой, сместив 1b. Такой темп означает, что SK hynix за полгода успевает заранее завершить самое сложное производственное «обкаточное» согласование по HBM4E. Samsung HBM4 напрямую переводит на 1c, чтобы забирать заказы параметрами производительности; SK hynix использует 1b, чтобы удерживать стабильность HBM4, сжимая долю примерно до середины диапазона 50%, а затем переключает фокус на то, чтобы вывести 1c по выходу годной продукции (yield). Когда же для HBM4E потребуется 1c для центрального кристалла (core die), уже будет пройден самый болезненный этап подъёма. Чем больше битов даёт каждая пластина (wafer) на 1c, тем выше прямое преимущество по себестоимости — прибыль становится более «размазанной» по объёму, и во второй половине года у маржинальности DRAM есть поддержка. Следующий ориентир — отчётность за Q3: если доля 1c окажется ниже 24%, значит, при наращивании выхода годной продукции (yield) возникли препятствия, и сроки выхода на серийное производство HBM4E вызывают сомнения; если доля поднимется до 30% и выше, дорожная карта Samsung будет вынуждена корректироваться. Тот, кто сначала проходит «ад» выхода годной продукции на базовой технологии, и становится в итоге победителем в HBM-войне.