Кривая переключения мощностей 1c DRAM — вот подлинный решающий фактор в войне за HBM4E. Доля 1c у SK hynix выросла с 10% в Q1 до прогнозных 34% в Q4; в следующем году ожидается 35% в Q1 — тем самым она официально превзойдёт 1b и станет ведущим техпроцессом. Такой темп означает, что SK hynix за полгода успевает заранее пройти самый сложный этап настройки массового производства для HBM4E. Samsung сразу внедряет 1c в HBM4, чтобы параметрами производительности перехватывать заказы; SK hynix использует 1b, чтобы обеспечить стабильность HBM4, удерживая долю на уровне середины 50%, а затем переключает основную огневую мощь на отладку выхода годных для 1c. Когда для HBM4E потребуется 1c в качестве ключевого die, уже будет пройден самый болезненный этап разгона. При более высокой доле 1c каждая пластина даёт больше бит — преимущество по себестоимости напрямую размывается в плюс, а во второй половине года маржа прибыли DRAM получит поддержку. Следующий ориентир — отчётность за Q3: если доля 1c окажется ниже 24%, значит, разгон выхода годных упёрся в преграду, и сроки массового производства HBM4E вызывают сомнения; если же доля вырастет до 30% и выше, дорожная карта Samsung будет вынуждена перестроиться. Тот, кто первым «пробежит» ад выхода годных на базовом техпроцессе, и станет окончательным победителем в войне HBM.