Компания CXMT начала мелкосерийное производство памяти HBM3E — передовой высокоскоростной памяти, используемой в чипсетах для искусственного интеллекта, — и планирует расширить выпуск в 2027 году, сообщает ETNet.

Компания также планирует нарастить производственные мощности. Ожидается, что производственная мощность по изготовлению DRAM к концу этого года достигнет 350 000 пластин в месяц, а в последующие годы планируются дальнейшие увеличения. Текущее производство CXMT по HBM3E остается крайне ограниченным, что указывает на то, что оно все еще находится на стадии рискованных испытаний. В отчете отмечалось, что ранее CXMT могла быстро перейти от рискованных испытаний к массовому производству, поэтому HBM3E может выйти на крупномасштабный выпуск в течение нескольких недель.

Также сообщалось, что несколько китайских производителей чипов, включая T-Head компании Alibaba и Cambricon (SSE: 688256), тестируют совместимость HBM3E со своими процессорами. Если все пойдет по плану, они смогут начать использовать этот продукт в своих устройствах уже в следующем году.