Согласно Wallstreetcn, Samsung Electronics сотрудничает с Nvidia для разработки 8-слойной седьмого поколения высокоскоростной памяти с высокой пропускной способностью (HBM4E) — вместо изначально планировавшихся вариантов на 12 и 16 слоёв. Предлагаемая Nvidia спецификация по скорости составляет 17–18 Гбит/с, что примерно на 20% выше первоначальной скорости образца HBM4E от Samsung — 14,4 Гбит/с.
Статья
ТЕНДЕНЦИИ ИИ | Samsung Electronics разрабатывает 8-слойную HBM4E по запросу Nvidia
--・
Отказ от ответственности. Содержит мнения третьих сторон. Не является рекомендацией. Binance AI не предоставляет гарантий. См. Правила и условия.