9月20日，长鑫存储宣布第五代$DRAM 平台量产：关键结构间距降至11.95nm；以8Gb芯片为基准，每晶圆毛芯片数至少增加50%；两款24Gb LPDDR5X已量产，容量比前代同类产品高50%⁠

本次消息披露的量产产品为LPDDR5X，主要进入手机和便携设备；HBM量产信息未出现。

MU近期先承受移动DRAM的价格、份额和成本竞争。AI服务器内存逻辑仍要看HBM客户认证、出货和供需。

还有个细节：“毛芯片数+50%”发生在剔除缺陷品之前，不能直接读成可销售产量+50%。

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