北方华创在 IEEE 期刊发文，晒出 3D DRAM 新突破：在 64 层结构上实现均匀刻蚀，把制造方向掰向垂直堆叠。据说这招能为长鑫存储绕开 EUV 制裁铺路，专治非 EUV 光刻的水平限制。技术路线换车道，国产存储突围有新盼头了。
#互关互粉# #有粉必回#
#互关互粉# #有粉必回#
Посты
Отказ от ответственности. Содержит мнения третьих сторон. Не является рекомендацией. Binance AI не предоставляет гарантий. См. Правила и условия.