在顶级对冲基金工作十多年的 IvanaSPEAR 认为：

2026年可能是NAND / DRAM这轮存储周期的“价格顶部”。

核心逻辑是，2026年有三件事同时发生：

HBM在抢生产资源，AI Agent爆发增加了DRAM和NAND的需求，新产能没有跟上。

三件事碰到一起，造成了这轮存储缺货和涨价的根本原因。

但到了2027年，新产能开始供货，这套涨价逻辑可能就没有2026年这么强了。

一、HBM为什么会挤压普通存储

先简单了解三种存储：

HBM：给GPU高速读取数据，是目前AI服务器最稀缺、利润最高的存储产品。

DRAM：服务器运行程序时使用的内存。

NAND：负责长期保存数据，SSD里面主要就是NAND。

现在AI公司疯狂采购GPU，带动HBM需求爆发。

因为HBM更缺、利润更高，所以三星、SK海力士和美光都优先把产能、设备和资金投向HBM。但厂商手里的资源是有限的。

HBM本身就是一种高端DRAM。厂商多生产HBM，留给普通DRAM的资源自然就少了；资金和设备优先投向HBM，也会拖慢NAND的扩产速度。

结果就是：HBM在扩产，但普通DRAM和NAND没有同步扩产。

二、AI Agent爆发把需求拉了起来

普通DRAM和NAND的供给没有跟上，但AI带来的需求还在增加。

AI Agent需要持续执行任务、调用工具和保存数据，不只需要GPU和HBM，还需要大量普通服务器。

服务器运行任务需要DRAM，保存数据需要SSD，而SSD里面主要就是NAND。

于是，2026年同时出现了两种情况：

一边是厂商优先扩产HBM，普通DRAM和NAND生产得不够多；

另一边是AI Agent带动服务器和存储需求继续增加。

货增加得慢，买的人却越来越多，最终造成供给紧张，价格也跟着上涨。

三、为什么2027年可能是转折点

真正的转折点可能出现在2027年。

根据图1中的测算：

2026年，DRAM供给缺口约为60.7 Eb；

2027年，供给缺口缩小至约54.4 Eb；

2027年，供给预计增长30%，需求增长约24%。

这组数据最核心的是：

2027年的需求虽然在增长，但供给增长得更快，所以供需缺口开始缩小。

因此，2026年可能是NAND和DRAM最缺货、价格最容易上涨的一年。

到了2027年，新产能开始供货，即使需求仍然很强，价格也可能涨不动了

四、哪些公司受到的影响最直接

再看图2中的存储公司业务占比：

闪迪的业务主要集中在NAND，长鑫科技的业务主要集中在DRAM。

两家公司的业务更加集中，长期看，受到NAND和DRAM价格周期变化的影响是直接最大的。