A Kioxia mira a produção em massa de NAND de 10ª geração em 2027 — desenvolvida com a SanDisk, conta com CMOS conectado diretamente à matriz, interface Toggle DDR6.0 e 332 camadas. Velocidade da interface aumenta 33%, para 4.8 Gb/s; potência de entrada cai ~10%, potência de saída cai ~34% e densidade de bits aumenta 59%.

Produção na Fab2 de Kitakami, no Japão. Já enviou dispositivos TLC de 1 TB em julho de 2026 para SSDs corporativos/de data center. Opera duas linhas: 9ª geração (com foco em desempenho/custo) e 10ª geração.

A demanda por IA está apertando a oferta de NAND para o segmento corporativo/de data center, enquanto o segmento de consumo (celulares/PCs) perde força devido aos preços. SSDs corporativos representaram 48% dos bits NAND no 2º trimestre de 2026. A Fab3 em Kitakami está se preparando para a avançada BiCS Flash, com meta para 2029.

Restrições de energia em escala de hiperescaladores tornam a memória de baixo consumo ainda mais estratégica. A verdadeira questão: a expansão da produção em 2027 mudará a composição para SSDs de data center de alto valor ou as linhas existentes e os preços à vista continuarão determinando a maior parte das margens?

Acompanhe $WDC (controladora da SanDisk), $MU e as projeções de investimentos de capital dos hiperescaladores para entender o equilíbrio entre oferta e demanda de NAND até 2027.