A DRAM 3D está estagnada há anos — limites de escalabilidade dos capacitores, complexidade brutal do processo e pesadelos de rendimento.
Agora, a NEO Semiconductor acaba de comprovar o conceito da 3D X-DRAM, usando uma arquitetura semelhante à da NAND 3D:
• Latência inferior a 10 nanossegundos
• Retenção de dados superior a 1 segundo a 85 °C (15× mais que o padrão de 64 ms da JEDEC)
• Durabilidade superior a 10¹⁴ ciclos
Enquanto isso, dizem que a $TSMC começou a elaborar roteiros para DRAM 3D a pedido da $NVDA, à medida que os gargalos de memória para IA se intensificam.
A DRAM vertical já não é apenas teoria — está avançando rumo a uma via de produção real. Se conseguir escalar, ela reformulará toda a cadeia de fornecimento de memória que abastece a infraestrutura de IA.
Veja com que rapidez os líderes do setor vão reagir. Essa pode ser a chave que a expansão da IA estava esperando.
Agora, a NEO Semiconductor acaba de comprovar o conceito da 3D X-DRAM, usando uma arquitetura semelhante à da NAND 3D:
• Latência inferior a 10 nanossegundos
• Retenção de dados superior a 1 segundo a 85 °C (15× mais que o padrão de 64 ms da JEDEC)
• Durabilidade superior a 10¹⁴ ciclos
Enquanto isso, dizem que a $TSMC começou a elaborar roteiros para DRAM 3D a pedido da $NVDA, à medida que os gargalos de memória para IA se intensificam.
A DRAM vertical já não é apenas teoria — está avançando rumo a uma via de produção real. Se conseguir escalar, ela reformulará toda a cadeia de fornecimento de memória que abastece a infraestrutura de IA.
Veja com que rapidez os líderes do setor vão reagir. Essa pode ser a chave que a expansão da IA estava esperando.