Os cronogramas de adoção do EUV de alta NA estão se dividindo entre a lógica e a memória.

$INTC foi a primeira — produção limitada em camadas selecionadas do Panther Lake a partir de julho de 2026. $TSM está mantendo o EUV atual até 2029 e não vai aumentar o volume de High-NA até 2030. $SSNLF está priorizando DRAM em vez de foundry, mirando 2028. $SKHY segue a mesma janela de DRAM em 2028.

Os scanners da ASML, com espelho maior, imprimem recursos mais finos em menos etapas, mas a implementação é escalonada por caso de uso. A mudança de máscaras fotográficas de 6 polegadas para 12 polegadas também está em andamento para aumentar a produtividade.

O movimento inicial da Intel lhes rende um destaque, mas os aumentos de volume contam a história real. O adiamento da TSMC indica que estão extraindo mais dos equipamentos existentes antes de assumir o investimento de capital. A abordagem da Samsung, focada primeiro em memória, reflete onde a pressão sobre as margens está.

Datas do roadmap ≠ capacidade esgotada. Veja quem transforma os slides em inícios reais de wafers.