A Changxin Storage inicia a produção em massa da 5ª geração da plataforma de DRAM
A Changxin Storage afirma que a plataforma usa quatro ciclos de estampagem para reduzir o espaçamento entre os principais elementos de armazenamento para 11,95 nm, permitindo empacotar mais memória em cada chip.
A Changxin Storage afirma que a plataforma usa quatro ciclos de estampagem para reduzir o espaçamento entre os principais elementos de armazenamento para 11,95 nm, permitindo empacotar mais memória em cada chip.
