A curva de comutação de capacidade do DRAM de 1c é a verdadeira arma de decisão na guerra do HBM4E. A fatia de 1c da SK hynix subiu de 10% no Q1 para 34% na previsão do Q4; no próximo ano, a previsão para o Q1 é de 35%, ultrapassando oficialmente o 1b para se tornar o processo principal. Essa velocidade significa que a SK hynix está usando meio ano para concluir com antecedência, no HBM4E, a fase de ajuste de produção em massa mais difícil. A Samsung já parte direto para o 1c no HBM4, disputando pedidos pelos parâmetros de desempenho; a SK hynix usa o 1b para manter o HBM4 estável, reduz a participação para meados de 50% e, em seguida, concentra os esforços para colocar a taxa de rendimento do 1c em funcionamento. Quando o HBM4E precisar do 1c para o die principal, a empresa já terá ultrapassado a etapa mais dolorosa de ramp-up. A produção de cada wafer no 1c gera mais bits; a vantagem de custo é diluída diretamente, e a margem de lucro do DRAM no segundo semestre terá suporte. O próximo passo é observar o relatório do 3º trimestre: se a fatia de 1c ficar abaixo de 24%, isso indica que o ramp-up de rendimento encontrou obstáculos, e o cronograma de produção em massa do HBM4E fica em dúvida; se chegar a 30% ou mais, o roadmap da Samsung será forçado a ser ajustado. Processos subjacentes que conseguem passar primeiro pelo inferno do rendimento são os vencedores finais da guerra do HBM.