De acordo com a Wallstreetcn, a Samsung Electronics está trabalhando com a Nvidia para desenvolver uma memória de alta largura de banda de 8 camadas de sétima geração (HBM4E), abaixo das opções originalmente planejadas de 12 camadas e 16 camadas, e a especificação de velocidade proposta pela Nvidia é de 17-18Gbps, cerca de 20% acima da velocidade inicial de amostra da Samsung para o HBM4E, de 14,4Gbps.
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TENDÊNCIAS DE IA | Samsung Electronics desenvolve HBM4E de 8 camadas a pedido da Nvidia
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