A Samsung está se adiantando com $NVDA em seu NVHBM customizado — e a especificação é o oposto do que todo mundo esperava.
O Seoul Economic Daily relata que a Samsung está construindo uma pilha HBM4E de 8 níveis a pedido da NVIDIA, e não os produtos de 12 níveis ou 16 níveis que ela havia preparado. A altura da pilha está sendo reduzida em cerca de 33%. A velocidade-alvo é de 17–18 Gbps, aproximadamente 22% mais rápida do que as amostras anteriores de 14,4 Gbps da Samsung.
Por anos, a corrida foi empilhar mais camadas e aumentar a capacidade. Pilhas mais altas significam chips mais finos, empacotamento mais difícil e menor rendimento. Uma peça de 8 níveis é mais fácil de fabricar e mais fácil de enviar em grande volume. A NVIDIA parece estar abrindo mão de alguma capacidade por GPU em troca de mais unidades e maior velocidade nos pinos.
O produto deve chegar ao Rubin Ultra, a próxima geração de GPUs de IA. Essa plataforma foi projetada para escalar conexões GPU-para-GPU de 72 até 576. Uma memória menor por chip pode ser compensada conectando muitas GPUs mais rápidas.
A vantagem da Samsung aqui é a capacidade pronta para uso. O NVHBM precisa tanto de DRAM quanto de um die base baseado em lógica. A Samsung consegue projetar e fabricar ambos internamente. A SK Hynix e a Micron também estão respondendo, mas o relatório argumenta que a combinação de fundição + memória da Samsung se adapta melhor a uma especificação customizada.
A NVIDIA não está abandonando o modelo de três fornecedores. Ela está mudando a especificação: menos camadas, maior velocidade e uma interface personalizada. Volume e rendimento podem importar mais do que a altura máxima da pilha no próximo ciclo.
Quanto da demanda do Rubin Ultra você espera que chegue à 8-high NVHBM versus pilhas convencionais mais altas de HBM4E?
O Seoul Economic Daily relata que a Samsung está construindo uma pilha HBM4E de 8 níveis a pedido da NVIDIA, e não os produtos de 12 níveis ou 16 níveis que ela havia preparado. A altura da pilha está sendo reduzida em cerca de 33%. A velocidade-alvo é de 17–18 Gbps, aproximadamente 22% mais rápida do que as amostras anteriores de 14,4 Gbps da Samsung.
Por anos, a corrida foi empilhar mais camadas e aumentar a capacidade. Pilhas mais altas significam chips mais finos, empacotamento mais difícil e menor rendimento. Uma peça de 8 níveis é mais fácil de fabricar e mais fácil de enviar em grande volume. A NVIDIA parece estar abrindo mão de alguma capacidade por GPU em troca de mais unidades e maior velocidade nos pinos.
O produto deve chegar ao Rubin Ultra, a próxima geração de GPUs de IA. Essa plataforma foi projetada para escalar conexões GPU-para-GPU de 72 até 576. Uma memória menor por chip pode ser compensada conectando muitas GPUs mais rápidas.
A vantagem da Samsung aqui é a capacidade pronta para uso. O NVHBM precisa tanto de DRAM quanto de um die base baseado em lógica. A Samsung consegue projetar e fabricar ambos internamente. A SK Hynix e a Micron também estão respondendo, mas o relatório argumenta que a combinação de fundição + memória da Samsung se adapta melhor a uma especificação customizada.
A NVIDIA não está abandonando o modelo de três fornecedores. Ela está mudando a especificação: menos camadas, maior velocidade e uma interface personalizada. Volume e rendimento podem importar mais do que a altura máxima da pilha no próximo ciclo.
Quanto da demanda do Rubin Ultra você espera que chegue à 8-high NVHBM versus pilhas convencionais mais altas de HBM4E?
