A Samsung Electronics apresentou seu protótipo de V10 Bonding V-NAND, ou BV-NAND, na conferência Future of Memory and Storage em Santa Clara, Califórnia, em 4 de agosto, no Horário do Leste dos EUA. De acordo com a PANews, o chip tem mais de 400 camadas e usa uma nova arquitetura de ligação de wafers para aumentar a densidade de armazenamento e melhorar o desempenho.

A Samsung disse que sua tecnologia BV-NAND aumenta a densidade de armazenamento em cerca de 58% em comparação com seu NAND V9 anterior, além de melhorar o desempenho de leitura, gravação e entrada/saída. A empresa afirmou que a tecnologia foi projetada para atender à crescente demanda dos sistemas de IA por soluções de armazenamento com maior capacidade e maior eficiência energética.

A Samsung também exibiu modelos de conceito do que disse serem as primeiras arquiteturas zHBM e zNAND-O do setor. A tecnologia armazena mais dados em um espaço menor ao empilhar verticalmente células de memória.