キオクシア、2027年に第10世代NANDの量産を目指す—サンディスクと共同開発。アレイにCMOSを直接接合し、Toggle DDR6.0インターフェースを採用、332層を実現。インターフェース速度は33%向上して4.8 Gb/sに、入力電力は約10%低減、出力電力は約34%低減、ビット密度は59%向上。

日本の北上工場第2製造棟で生産。エンタープライズ／データセンター向けSSD用として、2026年7月に1 TB TLCデバイスをすでに出荷。第9世代（性能／コスト重視）と第10世代の2つの生産ラインを稼働。

AI需要によりエンタープライズ／データセンター向けNANDが逼迫する一方、価格上昇を受けて消費者向け（スマートフォン／PC）需要は軟化。2026年第2四半期には、エンタープライズSSDがNANDビット需要の48%を占めた。北上の第3製造棟では先端BiCS FLASHの準備を進めており、2029年を目標としている。

ハイパースケールの規模で電力制約が強まるなか、低消費電力メモリーの戦略的重要性が高まっている。重要なのは、2027年の増産で高付加価値のデータセンター向けSSDへ製品構成が移るのか、それとも既存ラインとスポット価格が引き続き利益率の大部分を左右するのか、という点だ。

NANDの需給バランスを2027年に向けて見極める手掛かりとして、$WDC（サンディスクの親会社）、$MU、そしてハイパースケール各社の設備投資見通しに注目。