SamsungのHBM5ロードマップが示す、帯域幅よりも大きな課題
Samsungは、インターフェース幅をそれに比例して広げることなく、HBM4EからHBM5への移行でHBMのI/O速度をおよそ2倍にすることを目指しています。
しかし、より難しいのは電力密度です。
SamsungがHot Chips 2026で発表した資料によると、I/O速度が2倍になる一方で、PHYの電力密度は約0.5 W/mm²から2.0 W/mm²超へと、4倍以上に上昇します。
同社が提案するHeat Path Blockは、ピーク温度を35％以上下げることを目指しています。
これは単にDRAMを高速化する話ではありません。
ボトルネックはロジックベースダイへと移りつつあります。PHY設計、シグナルインテグリティ、熱管理を一体でスケールさせる必要があります。
私の見方では、HBMの次の競争優位は、DRAMをさらに積層することよりも、電力と熱の予算を使い切らずにベースダイから帯域幅を引き出すことから生まれるかもしれません。
注目すべき主要指標は、もはやTB/sだけではありません。
持続的な動作速度におけるpJ/bitです。
Samsungの数値はロードマップ上の目標であり、HBM5の量産実績で検証されたものではありません。
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