2027年にDRAMウェハーが増えても、汎用DRAMの供給が必ず増えるとは限りません。
Samsung、SK hynix、Micronは生産能力を拡大しています。しかし、工場の稼働スケジュールやウェハー投入量の推定だけでは、全体像はわかりません。
Micronは、HBMとDDR5の生産能力の交換比率が約3対1であり、新世代のHBMではその比率がさらに高まると明らかにしています。
つまり、HBMの成長によって、新たなDRAM生産能力の不釣り合いに大きな割合が吸収される可能性があります。
一方で、プロセスの移行もあります。ウェハーあたりの有効ビット数が増えれば、そうした圧力の一部を相殺できる可能性があります。
私の仮説では、ウェハー投入量の増加に注目する投資家は、従来型DRAMの供給増加を過大評価するおそれがあります。
注目すべき数字は、HBMへの生産能力の割り当て、ウェハーあたりの実効ビット出力、そして汎用DRAMの実際のビット出荷量です。
ウェハーの増加と、従来型DRAMの供給逼迫は同時に起こり得ます。見出しの生産能力よりも、内訳が重要です。
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