3D DRAMは長年、足踏み状態が続いてきました。コンデンサの微細化の限界、極めて複雑な製造工程、そして歩留まりの問題が壁となっていました。

そんな中、NEO Semiconductorは3D NANDに似たアーキテクチャを採用した3D X-DRAMで、概念実証を完了しました。

• レイテンシは10ナノ秒未満
• 85°Cで1秒を超えるデータ保持時間（JEDEC規格の64msの15倍以上）
• 10¹⁴回を超える耐久性

一方、AIメモリのボトルネックが深刻化するなか、$NVDAの要請を受けて$TSMCが3D DRAMのロードマップ策定に着手したとの情報もあります。

垂直型DRAMはもはや単なる理論ではありません。実際の量産に向けて動き始めています。これが大規模化すれば、AIインフラを支えるメモリのサプライチェーン全体が一変するでしょう。

既存大手がどれほど迅速に対応するか、注目です。AIの急速な拡大に必要とされてきた突破口になるかもしれません。