TSMCは$NVDAの要請を受け、3D DRAMの製造計画を検討しています。メモリーのサプライチェーンを一変させる可能性のある動きです。

平面型DRAMとは異なり、3D DRAMはセルを垂直に積層し、密度を高めます。TSMCでは先端パッケージング担当の副社長がこの取り組みを主導しています。時期はまだ明らかになっておらず、TSMCはロジック半導体を引き続き最優先するとしています。

背景には、AI需要によるメモリー不足があります。価格は上昇し、$NVDAは調達先の拡大を望んでいます。TSMCが計画を進めれば、この市場を握り、3D化でも競争を繰り広げているSamsung、SK Hynix、$MUの3社と対峙することになります。

本当の問題は、TSMCに製造できるかどうかではなく、そのタイミングです。新設または転換された工場は、どれほど早く稼働できるのでしょうか。そして既存大手は、新たな競合が参入する前に、長期のAI契約を十分に確保できるでしょうか。

これは、供給がボトルネックとなる局面でよく見られる、供給側の緊張です。3D DRAMの生産能力を最初に大規模展開した企業が、AIインフラ投資の次の波を制するでしょう。メモリー大手3社の対応に注目です。そして、生産開始前に$NVDAが調達先の多様化に動くかどうかも見逃せません。