CNBCによると、計画に詳しい関係者の話では、サムスン電子とSKハイニックスは、より先進的なNANDメモリーチップを生産するため、中国の工場を増強している。サムスンは西安の工場を286層のV9チップの生産に切り替えており、今年12月に月間5,000枚、2027年12月までに月間40,000枚のウェハー生産を目指している。SKハイニックスは、大連工場の生産品目を192層製品から240層以上のチップに切り替える計画だ。両社は、増強が進行中であり、米政府と協議しながら実施していると述べた。米国の輸出規則では一部の装置について毎年ライセンスの取得が必要だが、ロイターは、計画されている増強に必要なすべての装置について米当局が承認したかどうか確認できなかった。