Samsung Foundryは今年、第2世代の8nmプロセス「8LPU+」プラットフォームを投入する計画です。自動車、ロボティクス、エッジAI向けチップをターゲットとしています。Sina Financeによると、従来の8LPU世代と比べ、新プロセスは性能が12%向上し、消費電力が15%低減、ロジック面積が約8%縮小します。

8nmプロセスでは深紫外線（DUV）装置を使用します。一方、先端の5nm、4nm、2nmプロセスには、高価な極端紫外線（EUV）装置が必要です。Samsungによると、8LPU+は8LPUのFinFETウェハー上に3.3ボルトのプレーナーI/Oデバイスを組み込み、I/O面積を約10%削減します。また、このプラットフォームは超低リークSRAMと、車載グレード1の仕様を満たすeMRAMを備えています。セル面積は0.017平方マイクロメートル、記憶密度は1平方ミリメートルあたり約20メガビットです。

このプロセスは、AIマイクロコントローラーや自動車用ゾーン制御ユニットをターゲットとする見込みです。サムスンによると、潜在顧客には既存の8nmファウンドリー顧客や、自動車関連の認証取得を目指すファブレス半導体企業が含まれます。