長鑫ストレージ$CXMT は4F² DRAMアーキテクチャを発表。垂直型の包囲ゲートトランジスタを採用し、2026年末までにDDR5サーバー向けRDIMMの投入を目指しています。主流の6F²と比べ、理論上は記憶セルの面積を約30%縮小できますが、チップ全体のコストがそのまま30%下がるわけではありません。

供給が増えて価格が下落すれば、DELL、HPQ、レノボはコスト圧力の緩和が期待でき、中国の装置メーカーである北方華創や中微も、設備増強の恩恵を受ける可能性があります。

アーキテクチャのブレークスルーは注目に値しますが、歩留まり、量産、顧客認証という3つの関門を越える必要があります。DRAM全般の競争激化から、HBM4の優位性が失われると直接結論づけることもできません。今後は年末のサンプル出荷と認証に注目し、技術目標を大量供給と早合点しないようにしましょう。