Samsung Electronicsは火曜日、人工知能（AI）インフラの性能向上を目指す次世代メモリーおよびストレージ技術戦略を発表した。新浪財経によると、韓国の半導体大手である同社は、現地時間の月曜日に開幕したサンフランシスコでのOCP Global Summitでこの戦略を披露した。

Samsungは、AIインフラの性能向上に向けた3つの主要な技術分野として、高性能メモリー、Compute Express Linkを活用したストレージ拡張技術、次世代ソリッドステートドライブを用いたデータストレージおよび管理ソリューションを挙げた。新浪財経によると、Samsungの副社長兼応用エンジニアリングチーム責任者であるShim Ho-jun氏が、サミットで関連する講演を行った。

Shim氏は、AIモデルの大規模化に伴って推論のデータ量やキー・バリューキャッシュの需要が増加するなか、メモリー帯域幅に加え、メモリー容量の拡張やデータストレージ技術が、AIシステムの性能向上においてますます重要になっていると述べました。また、AIシステム全体を最適化するため、Samsungは開発の初期段階から世界各地の顧客やパートナーとの共同設計や技術検証を強化していると付け加えました。

Samsungはまた、メモリー容量に関する既存のシステム上の制約に対処するため、イベントでAMDと共同でCompute Express Linkベースのメモリー拡張ソリューションを実演する予定です。