サムスン電子のエグゼクティブ・バイスプレジデントであるキム・テウが火曜日、ハイバンド幅メモリー（HBM）が、来年にはDRAMメーカーの総ウェハー生産能力の約30%を占める見通しだと述べた。これは現在の約20%から増加する。新浪（シナ）財経によると、同氏はHBMが同じウェハー生産能力をめぐって標準DRAMと競合しており、そのためHBMの生産量が増えれば標準DRAMの供給が制限される可能性があると語った。HBMは人工知能（AI）向けコンピューティングの重要な構成要素で、プロセッサーが大量のデータに高速でアクセスできるように、メモリーチップを縦に積層して作られている。市場は現在、韓国のSKハイニックスとサムスン電子、ならびに米国のマイクロン・テクノロジーによって主に占められている。