サムスン電子は、平택キャンパス5工場における最初の量産ラインの建設を加速しており、主要な設備サプライヤーと、Ph1ツールの設置時期を来年の第3四半期から第2四半期へ移すことについて協議している。ChainCatcherによれば、P5拠点は2028年に稼働開始を目指す次世代半導体生産拠点であり、Ph1クリーンルームの建設は今年の第3四半期に開始された。

サムスンは、当初の目標だった来年初めから約6か月前倒しで、Ph1クリーンルームの完成を前倒ししていた。これにより、設備導入は来年の第3四半期頃になることが示唆されていた。業界筋によると、設備の移設（搬入）の開始は、来年の7月〜8月ではなく、来年の5月〜6月頃として検討されているという。一方別の情報筋は、サムスンが来年の第1四半期に設備を受け取り、いったん別の場所に一時保管する案まで提案していると述べた。

P5フェーズ2の投資に関する議論も継続している。フェーズ1は現在、DRAMおよびHBMラインとして建設される可能性が高まっている一方、フェーズ2は、V10を含む先端NANDラインになる可能性が高い。装置業界の情報筋によると、正式な購入発注はまだ出されていないが、サムスンはフェーズ2をNANDラインとして建設することについて話し合っており、設備のリードタイムが長いことを理由に、提携先に関連部品の準備を事前に進めるよう求めたという。

同報告書によると、世界の大手テクノロジー企業が、AIインフラに使われる高性能DRAMおよびNANDの発注を増やしている。一方で、サムスンのようなメモリメーカーには生産能力の限界がある。サムスンは7月の第2四半期決算説明会で、今年満たされない需要は来年に繰り越され、来年の供給不足は今年よりも深刻になり、供給不足は2028年まで継続する見通しだと述べた。