高NA EUVの導入タイムラインが、ロジックとメモリで分岐している。

$INTCは先に動いた――2026年7月時点で、Panther Lakeの一部レイヤーで限定的な生産を開始。$TSMは現在のEUVを2029年まで維持し、High-NAの量産立ち上げは2030年まで行わない。$SSNLFはファウンドリよりもDRAMを優先し、ターゲットは2028年。$SKHYも同じく2028年のDRAMウィンドウに追随する。

ASMLの大型ミラー・スキャナは、より少ない工程数で微細なパターンを印字できるが、用途ごとに導入のタイミングは段階的にずれている。さらに、スループットを高めるために6インチから12インチのフォトマスクへの移行も進行中だ。

インテルの初動は見出しを取るが、本当の勝負は量産の立ち上げタイミングにある。TSMCの遅れは、投資（capex）を決める前に、既存ツールからより多くを引き出していることを示唆する。サムスンのメモリ先行の方針は、どこにマージン圧がかかっているかを反映している。

ロードマップの日付≠売り切れの供給能力。スライドを実際のウェハー立ち上げに変えるのが誰かを見ておこう。