チップのハードウェア基板が大激震！合肥の世界製造業大会で、長鑫テクノロジーが第5世代DRAM（G5プラットフォーム）の量産を正式に開始し、微細ピッチを11.95ナノメートルまで圧縮。1枚のウェハー（ダイス）あたりの増産は50％超、さらに1個あたり24GbのLPDDR5Xメモリを実装しました。

これは、EUV露光装置がない中で、中国の技術チームが多重露光とHKMGプロセスで、いわば高性能メモリの巨大な門を“力ずくで”こじ開けたことを意味します。半導体製造のブレークスルーは、世界のストレージ大手3社による独占の構図を塗り替えるだけでなく、AIエッジのスマートエージェントや分散型DePINハードウェアの基盤となる計算能力コストを直接左右します。オンチェーンのAI Agentから高効率なフルノードまで、自主ハードが加速して、グローバルな暗号計算インフラがアジア太平洋へ移っていくのです。この国産半導体の爆発的な躍進を、AIとWeb3インフラの再評価につながると見ていますか？

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