CXMT は第 5 世代の DRAM プラットフォームを量産に投入したばかりです。要となるのは、24GB LPDDR5X ダイです。
『ザ・ペーパー』によると、G5 ラインは 9 月 20 日に開催された 2026 年世界製造会議（World Manufacturing Conference）で生産開始が宣言されました。
出荷されるのは 24GB LPDDR5X の 2 つの SKU で、同クラスにおける従来世代比で容量は 50% 増です。パッケージは 496 ボールおよび 245 ボールで、中〜高級スマートフォンや携帯機器をターゲットにしています。いずれも規模生産（スケール生産）に入っています。
プロセスの主張：クアドラプル・パターニングによりアレイのアクティブエリアのハーフピッチが 11.95nm まで到達し、最先端の量産 DRAM ノードに近づきます。コンデンサのアスペクト比は、新しいフローと材料により 45:1 に到達。さらに、DRAM 向けに設計された HKMG スタックにより、コア機能ブロックの高さが 6,762nm に抑えられています。
デジタルツインは設計、開発、製造、保守までをカバーします。ほかに挙げられている手順として、インターフェース設計、サドルフィン構造、低 k スペーサー付きのビットラインなどがあります。
ウェハあたりのダイ数は、第 4 世代プラットフォームより少なくとも 50% 以上多い――つまり、密度とコスト面での優位性です。
親会社・長江存儀（Changxin Technology）の 2026 年上半期の売上高：1,503.1 億元、前年同期比 +874%。株主に帰属する純利益：776.05 億元（前年は 23.3 億元の損失ののち）。LPDDR5 および 5X はすでに Xiaomi と Transsion に出荷済み。オートグレードの LPDDR5X も生産中です。
G5 は HBM ではありません。これは、中国の DRAM メーカーが“コモディティ・サイクルの一時的な追い風”を、より小型のモバイルノードへと転換する方法です。
$DRAM
もし G5 が、11.95nm のハーフピッチでウェハあたりのダイ数を 50% 以上増やせるなら、韓国の LPDDR ミックスに圧力をかけるのか、それとも CXMT がすでに握っている中国のスマホ供給チェーンの需要を埋めるだけなのか？
『ザ・ペーパー』によると、G5 ラインは 9 月 20 日に開催された 2026 年世界製造会議（World Manufacturing Conference）で生産開始が宣言されました。
出荷されるのは 24GB LPDDR5X の 2 つの SKU で、同クラスにおける従来世代比で容量は 50% 増です。パッケージは 496 ボールおよび 245 ボールで、中〜高級スマートフォンや携帯機器をターゲットにしています。いずれも規模生産（スケール生産）に入っています。
プロセスの主張：クアドラプル・パターニングによりアレイのアクティブエリアのハーフピッチが 11.95nm まで到達し、最先端の量産 DRAM ノードに近づきます。コンデンサのアスペクト比は、新しいフローと材料により 45:1 に到達。さらに、DRAM 向けに設計された HKMG スタックにより、コア機能ブロックの高さが 6,762nm に抑えられています。
デジタルツインは設計、開発、製造、保守までをカバーします。ほかに挙げられている手順として、インターフェース設計、サドルフィン構造、低 k スペーサー付きのビットラインなどがあります。
ウェハあたりのダイ数は、第 4 世代プラットフォームより少なくとも 50% 以上多い――つまり、密度とコスト面での優位性です。
親会社・長江存儀（Changxin Technology）の 2026 年上半期の売上高：1,503.1 億元、前年同期比 +874%。株主に帰属する純利益：776.05 億元（前年は 23.3 億元の損失ののち）。LPDDR5 および 5X はすでに Xiaomi と Transsion に出荷済み。オートグレードの LPDDR5X も生産中です。
G5 は HBM ではありません。これは、中国の DRAM メーカーが“コモディティ・サイクルの一時的な追い風”を、より小型のモバイルノードへと転換する方法です。
$DRAM
もし G5 が、11.95nm のハーフピッチでウェハあたりのダイ数を 50% 以上増やせるなら、韓国の LPDDR ミックスに圧力をかけるのか、それとも CXMT がすでに握っている中国のスマホ供給チェーンの需要を埋めるだけなのか？
