Samsung Foundry は静かに、4nm 生産能力の半分を HBM4 のベースダイに振り向けています。

ZDNet Korea によると、Samsung の 4nm ウェハーの 50〜60% が現在 HBM4 ロジックに使われています。これは DRAM スタックの下に配置され、GPU と接続するインターフェースチップです。総能力が約 30,000 ウェハー/月（平沢 S5/S6）であることを踏まえると、約 15,000 wpm がメモリ基盤向けに割り当てられている計算になります。

Samsung は 2月に最初の HBM4 を出荷しましたが、その数量はごくわずかでした。本格的な立ち上がりは、NVIDIA Vera Rubin、Broadcom、AMD 向けに第3四半期から始まります。経営陣は、第3四半期の HBM4 売上高が前期比で 3 倍超になるとガイダンスを出しており、下期には HBM4 が HBM 総売上の 60% 超を占める見込みです。

これは開示資料ではなく、出典付きの推定値です。しかし、重要なのは小数点よりも方向性です。

最先端ファウンドリの能力は、もはやスマートフォン向け SoC だけの話ではありません。今ではその大きな割合が、AI メモリのロジック層に向けられています。HBM が他のあらゆる用途からウェハー投入を奪っており、その再配分は加速しています。

これが TSMC の CoWoS ボトルネック、Micron の HBM3E のタイミング、そして SK Hynix の 12 層での先行にどう影響するか注目してください。メモリ供給網は、AI のスケールアウトにおける新たなボトルネックです。