1c DRAM の生産能力切り替えカーブこそが、HBM4E 戦争の真の勝負所だ。SK hynix は 1c の比率を Q1 の 10% から Q4 予測の 34% まで引き上げ、来年の Q1 では 35% に達すると見込んでいる。これで正式に 1b を上回り、主力プロセスとなる。このスピードは、SK hynix が半年の時間で HBM4E における最も難しい量産の立ち上げ（試作・調整）を前倒しで完了させようとしていることを意味する。三星は HBM4 を 1c に直行し、性能パラメータで受注を奪いにいく。SK hynix は 1b で HBM4 を安定させつつ、シェアを 50% 台の中盤まで圧縮し、すぐさま 1c の歩留まりを通すことに集中する。HBM4E が 1c をコアダイとして必要とする時には、すでに最もつらい立ち上げの急峻な立ち上がりフェーズを終えているのだ。1c では 1 枚のウェハから産出できるビット数が増え、コスト優位がそのまま薄利化（コストの圧縮）につながる。下半期の DRAM の利益率には追い風がある。次は Q3 の決算を見る。もし 1c 比率が 24% 未満なら、歩留まりの立ち上げが障害にぶつかったことを示し、HBM4E の量産時期は疑わしくなる。30% 以上まで押し上げれば、三星のロードマップは調整を余儀なくされる。最下層のプロセスでまず歩留まり地獄を突破した者こそが、HBM 戦争の最終勝者だ。