Wallstreetcnによると、サムスン電子はNvidiaと協力して、第7世代の8層型高帯域幅メモリ（HBM4E）の開発を進めているという。これは当初計画されていた12層および16層オプションからの変更だ。Nvidiaが提案する速度仕様は17〜18Gbpsで、サムスンの当初のHBM4Eサンプル速度である14.4Gbpsに対して約20%上回っている。