Samsungが$NVDAのカスタムNVHBMで先行する形に—そしてその仕様は、誰もが予想していたものとは真逆です。

ソウル経済日報によると、SamsungはNVIDIAの要請で、事前に用意していた12段または16段の製品ではなく、NVIDIA向けに8段のHBM4Eスタックを構築しているとのことです。スタックの高さは約33%カットされます。目標の速度は17〜18Gbpsで、Samsungのこれまでの14.4Gbpsの試作サンプルより約22%高速です。

長年、競争の焦点はより多くの層を積み重ねて容量を引き上げることでした。高いスタックは薄いダイを意味し、パッケージングも難しくなり、歩留まりも下がります。8段品なら製造もしやすく、大量出荷もしやすい。NVIDIAは、GPUあたりの容量の一部を、より多くのユニットと高いピン速度と引き換えにしているように見えます。

この製品は、次世代のAI GPUであるRubin Ultraに投入される見込みです。同プラットフォームは、GPU間の接続を72から最大で576まで拡張できるよう設計されています。チップあたりのメモリが少なくなっても、より高速なGPU同士を多数つなぐことで相殺できます。

この点でSamsungの強みは「ターンキー（完成品まで一貫）」対応力です。NVHBMにはDRAMと、論理ベースのベースダイの両方が必要です。Samsungなら、これらを自社で設計し製造できます。SK HynixやMicronも対応していますが、同レポートはSamsungのファウンドリー＋メモリ構成のほうが、カスタム仕様により適していると論じています。

NVIDIAは3社供給モデルをやめるわけではありません。仕様を変えるのです。つまり、層数を減らし、速度を高め、そしてカスタムのインターフェースにする。次のサイクルでは、最大スタック高さよりも、量産性や歩留まりのほうが重要になる可能性があります。

Rubin Ultraの需要のうち、8段のNVHBMにどれくらいが割り当てられると予想しますか？それとも、より背の高い従来のHBM4Eスタックでしょうか？