サムスンは、HBM4のベースダイを先進ロジックへ移すことが、ほとんどの人が思う以上に重要である理由を示した。

ベースダイはスタックの底に位置し、インターフェースを管理し、メモリモジュール全体を制御する。従来のHBM世代では、この層にDRAMスタイルのプロセスが使われていた。しかし、AIインフラでは速度が上がり、電力予算が厳しくなるにつれ、このアプローチは現在、厳しい限界に突き当たりつつある。

サムスンは、メモリコアは1cのDRAMノードのまま維持しつつ、HBM4のベースダイを自社の4nmロジックプロセスで構築した。内部データによれば、プロセスが純粋なDRAMから14nm、8nm、5nm、そして最終的に4nmへと進むにつれて、ベースダイとコアダイの電力が着実に低下している。TSV-to-PHYリピータの電力は大きく下がる一方で、遅延は許容範囲に収まっている。

実用面の成果は次の通り。ピン速度はすでに11.7 Gbpsで、13 Gbpsへ向けた道筋も見えており、さらに全体的な効率も向上している。サムスンはこの構成を現在出荷している。

$MU（マイクロン）は、別の第1世代の道を選んでいる。HBM4Eに向けて外部ロジックへ移行する前に、安定性とコストを優先するため、内部DRAMプロセスのベースダイを用いる方針だ。

HBM4の速度域では、純粋なDRAMプロセスは電力面やインターフェース性能の面でより苦しくなる。ベースダイを先進ロジックに載せることは、効率と帯域の両方にとって意味のあるレバーになりつつある。

これは、見出しのスペックが示唆する以上に重要な、静かなアーキテクチャ上の転換のひとつだ。