Peta Jalan HBM5 Samsung Mengungkap Masalah yang Lebih Besar daripada Bandwidth
Samsung menargetkan kecepatan I/O HBM sekitar 2× lebih tinggi dari HBM4E ke HBM5, tanpa peningkatan lebar antarmuka yang sebanding.
Namun, angka yang lebih sulit adalah kepadatan daya.
Presentasi Samsung di Hot Chips 2026 menunjukkan kepadatan daya PHY meningkat dari sekitar 0,5 menjadi lebih dari 2,0 W/mm² — lebih dari 4× — saat kecepatan I/O meningkat dua kali lipat.
Heat Path Block yang diusulkannya bertujuan mengurangi suhu puncak lebih dari 35%.
Ini bukan sekadar cerita tentang DRAM yang lebih cepat.
Hambatannya bergeser ke die dasar logika: desain PHY, integritas sinyal, dan manajemen termal harus ditingkatkan secara bersamaan.
Menurut saya, keunggulan kompetitif HBM berikutnya mungkin bukan berasal dari menumpuk lebih banyak DRAM, melainkan dari kemampuan die dasar untuk menghadirkan bandwidth tanpa menghabiskan anggaran daya dan termal.
Metrik utama yang perlu diperhatikan bukan lagi hanya TB/s.
Melainkan pJ/bit pada kecepatan operasi berkelanjutan.
Angka Samsung masih berupa target peta jalan, bukan hasil produksi HBM5 yang telah terverifikasi.
#stocks