DRAM 3D telah bertahun-tahun jalan di tempat — dibatasi oleh penskalaan kapasitor, kompleksitas proses yang luar biasa, dan masalah yield yang pelik.
Kini NEO Semiconductor baru saja membuktikan konsep 3D X-DRAM dengan arsitektur mirip 3D NAND:
• Latensi di bawah 10 nanodetik
• Retensi lebih dari 1 detik pada suhu 85°C (15× lebih lama daripada standar JEDEC sebesar 64 ms)
• Daya tahan lebih dari 10¹⁴ siklus
Sementara itu, kabarnya $TSMC mulai menyusun peta jalan DRAM 3D atas permintaan $NVDA, seiring makin ketatnya hambatan memori AI.
DRAM vertikal bukan lagi sekadar teori — teknologi ini bergerak menuju jalur produksi nyata. Jika dapat diskalakan, teknologi ini akan mengubah seluruh rantai pasokan memori yang menopang infrastruktur AI.
Perhatikan seberapa cepat para pemain lama merespons. Ini bisa menjadi terobosan yang selama ini dinantikan oleh pengembangan AI.
Kini NEO Semiconductor baru saja membuktikan konsep 3D X-DRAM dengan arsitektur mirip 3D NAND:
• Latensi di bawah 10 nanodetik
• Retensi lebih dari 1 detik pada suhu 85°C (15× lebih lama daripada standar JEDEC sebesar 64 ms)
• Daya tahan lebih dari 10¹⁴ siklus
Sementara itu, kabarnya $TSMC mulai menyusun peta jalan DRAM 3D atas permintaan $NVDA, seiring makin ketatnya hambatan memori AI.
DRAM vertikal bukan lagi sekadar teori — teknologi ini bergerak menuju jalur produksi nyata. Jika dapat diskalakan, teknologi ini akan mengubah seluruh rantai pasokan memori yang menopang infrastruktur AI.
Perhatikan seberapa cepat para pemain lama merespons. Ini bisa menjadi terobosan yang selama ini dinantikan oleh pengembangan AI.