Samsung Electronics Wakil Presiden Eksekutif Kim Taewoo mengatakan pada Selasa bahwa memori bandwidth tinggi (high-bandwidth memory/HBM) akan mencapai hampir 30% dari kapasitas wafer total para pembuat chip DRAM tahun depan, naik dari sekitar 20% saat ini. Menurut Sina Finance, ia mengatakan bahwa HBM bersaing dengan DRAM standar untuk kapasitas wafer yang sama, sehingga produksi HBM yang lebih tinggi dapat membatasi pasokan DRAM standar. HBM merupakan komponen kunci untuk komputasi kecerdasan buatan dan dibuat dari chip memori yang tersusun vertikal (vertically stacked memory chips) yang memungkinkan prosesor mengakses data dalam jumlah besar dengan kecepatan tinggi. Pasar saat ini didominasi oleh SK Hynix dan Samsung Electronics dari Korea Selatan, serta Micron Technology yang berbasis di AS.