Samsung Electronics mempercepat pembangunan jalur produksi massal pertama di pabrik Pyeongtaek Campus 5 dan sedang berdiskusi dengan pemasok peralatan utama untuk memindahkan pemasangan alat Ph1 dari kuartal ketiga tahun depan ke kuartal kedua tahun depan. Menurut ChainCatcher, lokasi P5 adalah basis produksi semikonduktor generasi berikutnya yang ditargetkan mulai beroperasi pada tahun 2028, dan pembangunan cleanroom Ph1 dimulai pada kuartal ketiga tahun ini.

Samsung telah mempercepat penyelesaian cleanroom Ph1 sekitar enam bulan dari target awal pada awal tahun depan, yang menunjukkan pengenalan peralatan sekitar kuartal ketiga tahun depan. Sumber industri mengatakan bahwa dimulainya pemindahan peralatan kini sedang dipertimbangkan untuk sekitar Mei hingga Juni tahun depan, bukan Juli hingga Agustus, sementara sumber lain mengatakan Samsung bahkan mengusulkan untuk menerima pengiriman peralatan pada kuartal pertama tahun depan dan menyimpannya sementara di tempat lain.

Diskusi juga terus berlanjut mengenai investasi untuk Fase P5. Ph1 kini lebih mungkin dibangun sebagai jalur DRAM dan HBM, sementara Ph2 lebih mungkin menjadi jalur NAND canggih, termasuk V10. Sumber industri peralatan mengatakan belum ada pesanan pembelian resmi yang ditempatkan, tetapi Samsung telah membahas untuk membangun Ph2 sebagai jalur NAND dan meminta mitra untuk menyiapkan komponen terkait lebih awal karena waktu tunggu peralatan yang lama.

Laporan tersebut mengatakan perusahaan-perusahaan teknologi besar global sedang meningkatkan pesanan untuk DRAM dan NAND berperforma tinggi yang digunakan dalam infrastruktur AI, sementara produsen memori seperti Samsung memiliki kapasitas terbatas. Samsung mengatakan dalam konferensi pendapatan kuartal kedua pada bulan Juli bahwa permintaan yang tidak terpenuhi tahun ini akan didorong ke tahun berikutnya, bahwa kekurangan pasokan tahun depan akan lebih parah daripada tahun ini, dan bahwa kekurangan tersebut diperkirakan akan berlanjut hingga 2028.