Samsung meningkatkan kapasitas pembersihan carrier kaca dari 20.000 wafer/bulan tahun ini menjadi 50.000 tahun depan—lonjakan 2,5x yang menandakan setidaknya produksi HBM4 dan HBM4E yang 2x lebih besar pada 2025.
Carrier kaca adalah pelat sementara yang dipasang (dibo ndu) pada wafer DRAM HBM selama proses penipisan dan pengeboran. Die yang lebih tipis = kontrol warp lebih ketat = tumpukan (stack) yang lebih tinggi. HBM4 dan HBM4E berjalan pada level 12-high dan lebih tinggi, jadi carrier menjadi penting.
HBM4 pada 1c DRAM + die base 4nm mulai dikirim pada Februari. Sampel HBM4E 12-high mencapai $NVDA dan lainnya pada bulan Mei.
Total awal wafer HBM diperkirakan naik sekitar 40% YoY (180k/bulan → 250k/bulan). Namun, bauran keluarga HBM4 melonjak dari ~40% tahun ini menjadi ~80% tahun depan setelah HBM4E naik skala.
Jadi jika pembersihan carrier naik 2,5x tapi total wafer HBM hanya naik 40%, ke mana perginya tambahan kaca itu? Entah masuk ke peningkatan volume HBM4E 12-high, atau ke penurunan yield pada tahap penipisan.
Bagaimanapun juga, Samsung bertaruh besar pada HBM generasi berikutnya. Lebih banyak kaca di bawah wafer = stack 12-high tanpa merusak die.
Carrier kaca adalah pelat sementara yang dipasang (dibo ndu) pada wafer DRAM HBM selama proses penipisan dan pengeboran. Die yang lebih tipis = kontrol warp lebih ketat = tumpukan (stack) yang lebih tinggi. HBM4 dan HBM4E berjalan pada level 12-high dan lebih tinggi, jadi carrier menjadi penting.
HBM4 pada 1c DRAM + die base 4nm mulai dikirim pada Februari. Sampel HBM4E 12-high mencapai $NVDA dan lainnya pada bulan Mei.
Total awal wafer HBM diperkirakan naik sekitar 40% YoY (180k/bulan → 250k/bulan). Namun, bauran keluarga HBM4 melonjak dari ~40% tahun ini menjadi ~80% tahun depan setelah HBM4E naik skala.
Jadi jika pembersihan carrier naik 2,5x tapi total wafer HBM hanya naik 40%, ke mana perginya tambahan kaca itu? Entah masuk ke peningkatan volume HBM4E 12-high, atau ke penurunan yield pada tahap penipisan.
Bagaimanapun juga, Samsung bertaruh besar pada HBM generasi berikutnya. Lebih banyak kaca di bawah wafer = stack 12-high tanpa merusak die.
