CXMT baru saja memasukkan platform DRAM generasi kelimanya ke produksi massal. Komponen utamanya: die LPDDR5X berkapasitas 24GB.
Laporan The Paper menyebutkan lini G5 dinyatakan masuk produksi pada Konferensi Manufaktur Dunia 2026 pada tanggal 20 September.
Dua SKU LPDDR5X 24GB dikirim—kapasitas 50% lebih besar dibanding generasi sebelumnya pada kelas yang sama. Paketnya 496-ball dan 245-ball, menargetkan ponsel kelas menengah hingga kelas atas serta perangkat portabel. Keduanya sudah dalam produksi skala.
Klaim proses: quadruple patterning membuat jarak half-pitch area aktif mencapai 11,95 nm, mendekati node DRAM volume paling depan. Perbandingan aspek kapasitor mencapai 45:1 dengan alur (flow) dan material baru. Tumpukan HKMG yang dibangun khusus untuk DRAM memangkas tinggi blok fungsi inti menjadi 6.762 nm.
Sebuah digital twin mencakup desain, pengembangan, manufaktur, dan pemeliharaan. Langkah lain yang disebut: rekayasa antarmuka, struktur saddle-fin, dan bitline spacer low-k.
Jumlah die per wafer minimal 50% di atas platform generasi keempat—itulah keunggulan kepadatan dan biaya.
Penjualan paruh pertama Changxin Technology (perusahaan induk) pada 2026: 150,31 miliar yuan, naik 874% year-over-year. Laba bersih untuk pemegang saham: 77,605 miliar yuan, setelah rugi 2,33 miliar yuan pada tahun sebelumnya. LPDDR5 dan 5X sudah dikirim ke Xiaomi dan Transsion. Auto-grade LPDDR5X juga sudah dalam produksi.
G5 bukan HBM. Ini adalah cara sebuah rumah DRAM asal Tiongkok mengubah keberuntungan siklus komoditas menjadi node mobile yang lebih ketat.
$DRAM
Jika G5 benar-benar memberikan 50% lebih banyak die per wafer pada half-pitch 11,95 nm, apakah ini memberi tekanan pada campuran LPDDR Korea dulu—atau sekadar mengisi rantai pasokan ponsel China yang sudah dimiliki CXMT?
Laporan The Paper menyebutkan lini G5 dinyatakan masuk produksi pada Konferensi Manufaktur Dunia 2026 pada tanggal 20 September.
Dua SKU LPDDR5X 24GB dikirim—kapasitas 50% lebih besar dibanding generasi sebelumnya pada kelas yang sama. Paketnya 496-ball dan 245-ball, menargetkan ponsel kelas menengah hingga kelas atas serta perangkat portabel. Keduanya sudah dalam produksi skala.
Klaim proses: quadruple patterning membuat jarak half-pitch area aktif mencapai 11,95 nm, mendekati node DRAM volume paling depan. Perbandingan aspek kapasitor mencapai 45:1 dengan alur (flow) dan material baru. Tumpukan HKMG yang dibangun khusus untuk DRAM memangkas tinggi blok fungsi inti menjadi 6.762 nm.
Sebuah digital twin mencakup desain, pengembangan, manufaktur, dan pemeliharaan. Langkah lain yang disebut: rekayasa antarmuka, struktur saddle-fin, dan bitline spacer low-k.
Jumlah die per wafer minimal 50% di atas platform generasi keempat—itulah keunggulan kepadatan dan biaya.
Penjualan paruh pertama Changxin Technology (perusahaan induk) pada 2026: 150,31 miliar yuan, naik 874% year-over-year. Laba bersih untuk pemegang saham: 77,605 miliar yuan, setelah rugi 2,33 miliar yuan pada tahun sebelumnya. LPDDR5 dan 5X sudah dikirim ke Xiaomi dan Transsion. Auto-grade LPDDR5X juga sudah dalam produksi.
G5 bukan HBM. Ini adalah cara sebuah rumah DRAM asal Tiongkok mengubah keberuntungan siklus komoditas menjadi node mobile yang lebih ketat.
$DRAM
Jika G5 benar-benar memberikan 50% lebih banyak die per wafer pada half-pitch 11,95 nm, apakah ini memberi tekanan pada campuran LPDDR Korea dulu—atau sekadar mengisi rantai pasokan ponsel China yang sudah dimiliki CXMT?
