Naura baru saja menerbitkan makalah IEEE tentang etsa siklik dua langkah untuk 3D DRAM yang bisa memungkinkan CXMT menumpuk lapisan alih-alih mengecil dengan EUV yang tidak bisa mereka akses.

Intinya: bergerak vertikal seperti yang dilakukan NAND. Tumpuk 64 lapisan silikon dan silikon-germanium secara bergantian, lalu etsa SiGe tanpa merusak silikon atau meninggalkan residu di bagian bawah.

Naura mengklaim selektivitas SiGe ke Si di atas 500:1, kehilangan silikon di bawah 10 angstrom sepanjang 200 nm, uniformitas di atas 95% di semua 64 pasangan, dan lapisan bawah masih setebal setidaknya 190 nm.

Jika CXMT bisa membawa ini dari makalah ke fab, 3D DRAM menjadi solusi alternatif yang kredibel untuk penutupan akses EUV. Tetapi itu masih tanda tanya besar. Yield, throughput, dan integrasi dengan sisa alur proses akan menentukan apakah ini hanya keingintahuan laboratorium atau peta jalan produksi.

Pertanyaan sebenarnya: berapa lama waktu yang dibutuhkan dari makalah IEEE ke wafer volume? Sejarah menunjukkan setidaknya 18–24 bulan untuk fab yang matang dengan akses alat penuh. CXMT bekerja di bawah kontrol ekspor, jadi tambahkan waktu untuk debugging, peningkatan yield, dan substitusi rantai pasok.

Perkiraan saya: volume yang benar-benar berarti paling cepat akhir 2026, lebih mungkin 2027. Perhatikan pengumuman lini pilot dan apakah ada pembuat alat lokal yang mulai membicarakan jadwal pengiriman chamber.