①SK海力士 pengelola terbaru menunjukkan bahwa di era semikonduktor AI, pengaruh teknologi pengemasan semakin besar selain performa HBM itu sendiri;②Dalam pembuatan semikonduktor AI, karena memori dipasang lebih dulu ke lapisan perantara dibanding perangkat lain, persyaratan keandalannya menjadi lebih tinggi;③SK海力士 sedang mengembangkan teknologi pengemasan generasi berikutnya serta teknologi pendinginan regional untuk memenuhi kebutuhan pengembangan HBM.

Teknologi memori bandwidth tinggi (HBM) yang digunakan di pusat data AI sedang mengalami pergeseran besar. Wakil Presiden perusahaan asal AS $SK海力士 (SKHY.US)$ Lee Jae-sik baru-baru ini menyatakan bahwa di masa depan industri tidak hanya perlu fokus pada HBM itu sendiri, tetapi juga pada bagaimana teknologi pengemasan memengaruhi HBM.

Pada tanggal 23 waktu setempat, Lee menghadiri konferensi semikonduktor Hot Chips 2026 yang diadakan di Stanford University, Amerika, dan menyampaikan presentasi berjudul “Pengemasan berteknologi tinggi untuk HBM”. Ia mengatakan bahwa di era semikonduktor AI, untuk memastikan daya saing, bukan hanya performa HBM yang harus dioptimalkan, tetapi juga GPU, proses pengemasan, dan proses fabrikasi.

Saat ini, HBM SK海力士 menggunakan desain tumpukan 3D, dengan menghubungkan beberapa chip inti ke satu chip dasar melalui TSV (silicon through vias). HBM saat ini memiliki kemampuan tumpukan hingga 16 lapis. Teknologi pengemasannya menggunakan MR+MUF (reflow solder + bottom fill berbahan injeksi).

Dibandingkan dengan TC+NCF (hot press + thin film non-konduktif), produksi MR+MUF memiliki efisiensi lebih tinggi dan hambatan termal lebih rendah, tetapi lebih mudah terjadi warpage (tekuk/keriting pada chip), serta terdapat kekurangan pada pengisian celah (gap filling). Namun, SK海力士 menggabungkan teknologi pengendalian warpage dengan integrasi pitch yang lebih presisi serta teknologi pengisian celah sempit, sehingga berhasil meningkatkan performa HBM yang ada.

SK海力士 masih mengembangkan teknologi pengemasan hibrida berbasis ikatan campuran untuk mencapai target 20 lapis atau lebih, melampaui tumpukan 16 lapis. Teknologi ini dapat meningkatkan ketebalan chip inti hingga 24% pada ketinggian yang sama, serta memperkecil jarak antar tonjolan menjadi di bawah 18 mikron dengan menghilangkan microbumps yang ada dan melakukan koneksi langsung ke chip. Selain itu, teknologi ini diharapkan dapat mengurangi masalah panas melalui pembuangan panas yang lebih efisien.

Era kolaborasi untuk mengoptimalkan

Berbeda dengan memori yang ada, HBM pertama kali dirakit pada lapisan perantara (interposer) dalam semikonduktor AI. Lee menyatakan bahwa pada masa lalu, memori dipasang pada tahap akhir perakitan sistem, tetapi di era AI hal ini sangat berbeda, sehingga keandalan HBM menjadi semakin penting.

Ia menambahkan bahwa HBM harus mampu menahan panas dan tekanan mekanis yang timbul selama proses produksi berikutnya, sehingga pengembangan bersama dengan pelanggan menjadi hal yang sangat penting. Ini juga berarti bahwa produsen memori, perancang GPU, pabrik pengecoran (foundry), dan perusahaan pengemasan harus melakukan perancangan secara terpadu sejak awal.

SK海力士 juga merilis sebuah teknologi di acara tersebut untuk mendinginkan area tertentu di dalam HBM yang menjadi “hotspot” (titik panas). Lee menyatakan bahwa semakin cepat kecepatan input/output HBM, panas akan semakin terkonsentrasi pada beberapa area tertentu. Teknologi iHBM yang sedang dikembangkan menambahkan material konduktif termal yang tahan suhu tinggi untuk melakukan pendinginan yang terkonsentrasi hanya pada area yang memusatkan panas, bukan mendinginkan seluruh HBM.

Ia juga menuturkan bahwa bandwidth dan kapasitas HBM ke depannya akan terus meningkat, tetapi masalah panas, konsumsi daya, dan pengemasan akan menjadi tantangan yang lebih besar, sehingga pelanggan, foundry, dan perusahaan pengemasan harus bekerja sama untuk mengoptimalkan.