(Source : Caixin)

Samsung, SK Hynix et Micron s’efforcent à fond d’améliorer le taux de rendement du HBM4 afin de soutenir des résultats à forte marge bénéficiaire ; le taux de rendement détermine directement l’espace bénéficiaire.

Le 22 juillet, d’après des informations outre-mer de Caixin, Samsung Electronics, SK Hynix (SKHY.US) et Micron Technology (MU.US) — les trois principaux fabricants de puces mémoire — se sont lancés de manière exhaustive dans la compétition du taux de rendement du HBM4. En tant que sixième génération de mémoire à bande passante élevée, le HBM4 sera utilisé dans des puces d’accélération IA telles que Vera Rubin, que NVIDIA (NVDA.US) prévoit de lancer au second semestre ; il deviendra ainsi un soutien clé des performances des entreprises au second semestre.

Samsung est la première à avoir atteint la production de masse à grande échelle de HBM4 ; selon les estimations du secteur, son taux de rendement est proche de 70 %. Cela s’explique par l’amélioration continue apportée par le procédé 1C des puces DRAM (au début de l’année, le taux de rendement est resté stable à plus de 80 %), ce qui a nettement renforcé les capacités de pilotage du rendement.

SK海力士 n’a pas encore公布（annoncé) un taux de rendement (rendement de production) exact, mais selon les jugements du secteur, il serait déjà entré dans une phase stable. Afin de consolider sa part de marché sur le segment des HBM représentant plus de la moitié, l’entreprise discute actuellement de l’introduction de nouveaux équipements de production, afin d’optimiser les procédés et d’augmenter la capacité.

Micron, dont la base de capacité est relativement plus faible, accélère la montée en rendement et l’investissement à grande échelle dans des équipements, tout en renforçant simultanément ses capacités de production.

Le taux de rendement (la proportion de puces conformes) détermine directement le volume de livraison et l’espace de profit ; il s’agit donc d’un objectif central dans la stratégie des fabricants. Bien que, dans un premier temps, le secteur du DRAM (mémoire dynamique) ait vu ses bénéfices dépasser ceux du segment concerné à court terme, la marge de hausse des prix s’essouffle : environ +100 % au T1, +30 %-50 % au T2, puis 0 %-20 % au T3. En revanche, la demande en HBM continue de s’étendre et l’avantage de la forte marge bénéficiaire devrait redevenir le facteur dominant.

Des initiés du secteur indiquent : « Samsung a été la première à lancer la production de masse du HBM4 ; les augmentations d’approvisionnement et de profits résultant du gain de rendement se reflètent déjà pleinement dans ses résultats du T2. Au second semestre, cette tendance devrait se poursuivre, et la concurrence sur le rendement entre les trois principaux fabricants de mémoires va encore s’intensifier. »