Longxin Storage commence la production en série de sa cinquième génération de plateforme DRAM
Longxin Storage indique que cette plateforme utilise un procédé de quadruple photolithographie pour réduire l’espacement entre les cellules de mémoire clés à 11,95 nm, permettant ainsi d’intégrer davantage de mémoire dans chaque puce.
Longxin Storage indique que cette plateforme utilise un procédé de quadruple photolithographie pour réduire l’espacement entre les cellules de mémoire clés à 11,95 nm, permettant ainsi d’intégrer davantage de mémoire dans chaque puce.
